HBM 투자 아이디어

○SK 하이닉스가 1분기 실적 컨퍼런스콜에서 투자를 작년대비 50%이상 축소 집행하고 있지만, DDR5,LPDDR5,HBM3등의 투자는 집행해 하반기 및 내년 성장에 대비할 계획이라고 말하였다.

○SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) DDR5 서버용 D램을 인텔과 호환성 검증에 나가고, 올 중순부터 양산에 돌입하여 본격적인 양산은 10월로 예상하고 있다.  삼성전자와 양산 시점 경쟁구도. 삼성전자는 지난해 12월 AMD(서버용 CPU시장 점유율 10%)와 호환성 검증 완료. ( 마이크론은 선폭이 두회사의 12.8나노미터보다 떨어짐)

○SK 하이닉스는 1b nm와 238단 양산준비를 하여 내년 시황 개선시 주력제품으로서 대응할 계획.

○1b nm는 1a nm 대비 다이 효율성을 크게 개선하였고, EUV 공정 적용 대폭 확대
○HBM은 매년 50%의 성장 기대, 1b nm 시장은 내년 6배이상 성장 예상.

 

티에스이

○낸드플래시용 프로브카드를 삼성전자,SK하이닉스,마이크론,YMTC에 공급

○개발 난도가 높은 D램용 프로브카드 개발중. 기존 일본, 미국업체가 과점. 

  -지난해 고객사 한곳과 퀄 테스트 완료. 올해 1분기까지 2개 고객사와 퀄테스 마무리를 목표. 올하반기 본격적인 양산->확

   인해봐야함.

○2022년 말 천안사업장 인근 증설 완료. 총 3층 중 1층은 프로브카드, 2,3층은 소켓 전용

  -신규 라인은 소켓은 1분기 부터 양산 시작, 프로브카드는 2분기 양산 시작 예정

  -D램용 라인은 200억 매출까지 가능->확인해봐야함.

○HBM 테스트용 다이캐리어 소켓 첫 양산 공급

  -2.4Gbps 속도의 HBM2 와 3.6Gbps 이상의 속도인 HBM3검사까지 가능

  -기존 테스터와 핸들러, 번인설비 인프라 그래도 사용 가능  

  -100억 이상의 매출 기대->확인해봐야함.

  -다이를 캐리어에 넣고 빼는 Pack/Unpack 설비 개발중->확인해봐야함.

○2020년 2,855억(매출)/427억(영익) , 2021년 3,077억(매출)/546억(영익), 2022년 3,393억(매출)/566억(영익)

  - 2023년은 20% 성장 예상 

 

○주요제품 매출

○HBM 시장 전망

->티에스이의 테스트 소켓 매출추이 확인필요

 

한미반도체

○HBM의 TSV TC 본딩장비 공급

 

   -TC 본딩은 "Thermo Compression" 즉 열압착 방식이다.  기존읜 HBM TSV 연결에 사용되던 기술   -문제점은 1024개의 IO에 범프에 일정하게 열을 전달하는데 어려움   -새로운 본딩방법 : MR(Mass Reflow)- MUF(Molded Uner Fill)

○새로운 본딩 방법 MR-MUF

  -MR Mass Reflow 즉 대형 오븐에 여러 개 칩을 한꺼번에 집어넣고 납을 녹여서 때우는 방식인 Reflow방식을 대량으로 하

   는 것. MR은 TC본딩 전에 쓰던 레거시 방식. 배선 거리가 좁아질수록 범프끼리 엉켜붙음.

  -위와 같은 단점을 보완하기 위해 가열하는 온도를 낮추는 방법을 쓰거나 레이저를 쏴서 공정 시간을 단축하는 공정도 개

    발

 

  -MR공정을 하는 이유가 MUF를 하기 위해서.

  -MR방식으로 납땜 후에, 칩 사이사이의 간극을 액체(실리카,에폭시 알갱이로 구성된 소재)로 채우면서 단단하게

   굳히는 언더필 작업과 동시에 몰딩을 동시에 하는 방식

  -아직 삼성전자, 마이크론은 TC 본딩 방식 활용.-> 한미 반도체

  -SK하이닉스는 MR-MUF를 일본 소재 회사 나믹스와 협력해서 상당수준 만족할 만한 수율로 개발완료

  -SK하이닉스는 3세대인 HBM2E부터 나믹스의 MR-MUF 본딩장비로 양산중.

○하이브리드 본딩

  -MR-MUF의 넥스트 레벨

  -납땜대신에 칩과 칩을 포개어버리는 방식. 두께가 얇아지고 IO통로간 간극이 더 좁아질 수 있음